机译:通过并入HfO_2层作为栅极介电层,在InGaAs / InP中实现的栅极定义量子点器件
机译:通过集成高κ电介质在InGaAs / InP中实现具有集成电荷传感器的门定义双量子点
机译:通过集成高κ电介质在InGaAs / InP中实现具有集成电荷传感器的栅极定义的双量子点
机译:通过将高kappa层作为栅极电介质结合到InGaAs / InP中实现的门限定量子器件
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:通过原子层沉积法表征掺入HfO2介质中的Al
机译:通过结合HfO 2层作为栅极电介质,在InGaas / Inp中实现栅极限定的量子点器件